Cela rend ainsi possible la création de routeurs 100 Gigabits.
La technologie SiGe utilise les classiques transistors MOS sur Silicium, contrairement aux AsGa (arsénure de Gallium) et autres InP (phosphure d'indium) qui utilisent des transistors bipolaires qui consomment beaucoup plus.
Le Germanium est utilisé pour augmenter les propriétés électriques du Silicium.
Aller plus loin
- News IBM (3 clics)
# moi
Posté par Christophe Merlet (site web personnel) . Évalué à -10.
[^] # Re: moi
Posté par VACHOR (site web personnel) . Évalué à 10.
http://www.wired.com/news/technology/0,1282,50642,00.html(...)
En fait IBM en est à 80 Ghz pour le moment. C'est pas mal quand même. Par contre le prix de revient des puces doit être très élevé pour le moment.
Quant aux problème de pollution des composants quand on jette les appareils, ça va être pire qu'avant...
# Rectification
Posté par Christophe BAEGERT . Évalué à 10.
Je ne suis pas électronicien, mais ca me parait un peu prématuré d'en conclure que des circuits complets tourneront à cette vitesse et pourront animer des routeurs 100Gbit/s... D'ailleurs IBM annonce des performances doublées dès leur passage en production. Ca serait plus que doublées si ca permettait de faire tourner des proc à 110GHz.
[^] # Re: Rectification
Posté par pwet pwet . Évalué à -3.
faut dire que faut faire un peu de vaporware aussi pour la concurence.
C'est un peu comme quand un commercial dit a un decideur que son application est bientot fini de coder. Il ment car rien n'est fait mais on "espere" que ca sera fait.
A mon avis, IBM sur ce coup la c'est pareil.
Faut noter quand meme que vu ce qu'on leur fait bouffer comme merde aux routeurs now, c'est pas etonnant qu'il faille des machines comme ca.
Ah le bon vieux temps.
[^] # Re: Rectification
Posté par VACHOR (site web personnel) . Évalué à 10.
C'est pas trop le style de Big Blue... C'est quand même eux qui roulaizent pour la recherche sur les disques durs (ex les micro-drives et les minidisques de grandes capacité).
[^] # Re: Rectification
Posté par Jak . Évalué à 10.
Soit L (lambda) la longueur d'onde d'un signal.
L=cT , où c est la vitesse de la lumière dans le vide (environ 3.10^8 m/s et T la période du signal, de fréquence F=1/T.
Donc L=c/F.
Si F=100 MHz, alors L=3 mètres, donc on a largement la marge sur une machine standard.
Si F=110GHz, alors la longueur d'onde du signal est d'environ 2,7 millimètres. On ne peut même plus faire l'approximation sur un core de processeur (en gros 100 mm², donc 10mm sur 10mm).
L'annonce du 110 GHz, c'est pour se la péter, et c'est plus impressionant que de dire qu'ils arrivent à faire commuter un transistor en 9 picosecondes (ce qui est la même chose, mais c'est commercialement moins parlant :) ).
Si un physicien passe par là, il pourrait corriger les conneries que j'ai pu dire ? Ça fait longtemps que je n'ai plus fait de physique :)
[^] # Re: Rectification
Posté par Olivier . Évalué à 10.
Et de toutes façons un signal n'a jamais la même valeur quelque soit la longueur d'onde sur la longueur du film. Justement parce que c'est une onde qui se déplace (à votre avis c'est pour quoi les jolis bouchons de 50 ohms qu'on mettait sur les câbles 10b2 ? pour éviter les retours d'ondes et autres phénomènes de réflexion).
Ceci dit, plus encore que la longueur d'onde, c'est la bande passante nécessaire sur les circuits. Pour faire passer un signal porte de façon convenable, il faut aller, si ma mémoire est bonne, jusqu'à la 3ème harmonique (révisez vos séries / transfo de Fourier ;). Soit pour un signal porte ou créneau 2n+1 la fréquence, 7 fois la fréquence de base. alors à 100 GHz il faut que le fil puisse faire passer sans le faire chier un signal jusqu'à 700 GHz... ça commence à faire beaucoup ;)
" Si un physicien passe par là, il pourrait corriger les conneries que j'ai pu dire ? Ça fait longtemps que je n'ai plus fait de physique :)"
^--- idem pour moi ;)
[^] # Re: Rectification
Posté par Jak . Évalué à -2.
Oui, mais la longueur d'onde se calcule quand même avec c, il me semble. Enfin, en gros, comme le dit FreePK un peu plus bas, c'est de la connerie, c'est juste IBM qui se fait mousser (il explique bien, FreePK).
[^] # Re: Rectification
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 10.
Cela fait bien longtemps que des transistors SiGe ont des fréquences de coupures de 200 Ghz et plus.
Ici comme le faisait remarquer qq'un, il s'agit bien de signaux carré.
Par contre, il parle bien de la vitesse d'une porte not. Une Nand de 0.15 µm de TSMC à besoin de 15 ps pour être traverser. Ici, l'inverseur à besoin de 9 ps soit presque la moitier.
Quand à l'idée de dire que la longueur d'onde étant de 2.7 mmm, aucun circuit n'aura cette fréquence est idiot. En effet, 2.7 mm est sans doute le quart de la longueur de la puce. Combien de fils font cette longeur : quasiement aucun !
"La première sécurité est la liberté"
[^] # Re: Rectification
Posté par freePK . Évalué à 3.
Tu t'avances là beaucoup Nico ;-) J'ai routé des circuits avec des fils beaucoup plus longs. Ceci dit, il est vrai que pour cette vitesse, on fait franchement attention...
PK
[^] # Re: Rectification
Posté par freePK . Évalué à 8.
Pas tant que cela. La vitesse d'un circuit est souvent une notion très commerciale. La vitesse d'un point du circuit peut-être élevée (comme pour les Athlon ou PIV) sans pour autant que tout le circuit pédale à cette vitesse. Et même loin s'en faut dans les deux exemples précédents.
Par exemple, dans ton téléphone portable, tu as des circuits qui tournent à 10 GHz...(et déjà en SiGe d'ailleurs).
D'ailleurs... à 110 GHz
Non : cela confirme juste ce que je dis plus bas. Les circuits actuelles en bipolaire tourne entre 10 et 40 GHz. Passer à 100 GHz revient bien à doubler les performances...
Donc, c'est bien du bipolaire - ce n'est pas du MOS - encore moins du CMOS - et cela ne va donc pas venir accélerer vos processeurs (quoique Intel triche en mettant des bipolaires dans ses processeurs...).
PK
# Du dopage sans dopants ?
Posté par Jar Jar Binks (site web personnel) . Évalué à 7.
Et en Français, ça veut dire quoi ?
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Eddy . Évalué à 8.
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Laurent Laborde (site web personnel) . Évalué à 6.
> Si mes souvenirs de physique de la matiere condensee sont corrects, ca n'a aucun sens!!!
Va faire comprendre ca a un cycliste :)
--
Ker2x
Dopé a l'insu de son plein gré !
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Seb O . Évalué à -8.
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Benoit Friry . Évalué à 10.
L'objectif est d'augmenter la conductivité du semi-conducteur (une vague histoire d'électrons libres...)
*De mémoire*, le germanium est au-dessous du silicium (ce qui fait un atome plus gros).
J'imagine que c'est ce type de dopage qui a des propriétés super-top-moumoutte(TM) ! ;^)
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par B. franck . Évalué à 3.
mais là j'avoue comprendre autant que toi
ce paradoxe.
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par THE_ALF_ . Évalué à 1.
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 6.
En fait, tu mets une couche de germanium "au dessus" du silicium pour injecter tes charges (une sombre histoire de différence de niveau électrique entre les 2 matériaux) au lieu de les injecter à l'aide d'impureté. C'est possible car les 2 atomes ont a près la même taille.
nicO
"La première sécurité est la liberté"
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Jar Jar Binks (site web personnel) . Évalué à 2.
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 3.
Le silicium est massif et tu dépose du germanium qui donne ainsi ces conducteurs (élèctrons ?) au circuit. Mais il s'agit bien d'une histoire de niveau de fermi. Comme d'hab le truc génial est de savoir comment créer une interface de bonne qualité.
"La première sécurité est la liberté"
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par Eddy . Évalué à 5.
Je ne sais pas pkoi ils disent dopage sans atome dopant!!!
[^] # Re: Du dopage sans dopants ?
Posté par François Romieu (site web personnel) . Évalué à 5.
le Si que pour le Ge. Dans le cas des autres matériaux "voisins", les valeurs sont
déséquilibrées entre n et p (densités de porteurs mobiles).
Maintenant tu sais :o)
# N'importe quoi !
Posté par freePK . Évalué à 10.
Ensuite cette phrase La technologie SiGe utilise les classiques transistors MOS sur Silicium est un non-sens : il n'est écrit, nulle part que les transistors sont des MOS. Au contraire, je suis près à parier qu'il s'agit de bipolaires (en tout cas, chez STMicroelectronics qui maîtrise parfaitement le SiGe, c'est en BiCMOS et uniquement dans les bipolaires).
D'ailleurs, l'annonce parle d'elle-même : high frequency analog mixed IC signal...
Je ne commente même pas la dernière phrase qui ne veut rien dire !
PK
[^] # Re: N'importe quoi !
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 4.
C'est vrai qu'il ne parle pas du type de transistor mais la fréquence de coupure pour la fréquence donné serait faible. De plus, il s'agit d'une technologye silicium, comme il parle de faible consomation, il ne peut s'agir que de MOS.
Quans à comparrer avec ce que fais ST, je ne crois pas qu'elle fasse encore des techno 0.13µm et de la techno cuivre, voire du low µ.
Vu le cout d'une techno SiGe (il y a des masques en plus pour sculter la couche de Ge), je comprends que l'on se concentre sur des ciruits analogique qui ne comporte pas plus d'une centaine de transistors.
Il me semble bien avoir déjà eu cette conversation avec freePK. Au fait, cela avance le floor/planning du multiplieur ?
"La première sécurité est la liberté"
[^] # Re: N'importe quoi !
Posté par freePK . Évalué à 5.
Pas obligé du tout : la partie numérique ou analogique peut être fait en MOS (ce qui correspond ra au low power) et le reste en bipolaire (typiquement : les portables...)
Quans à comparrer avec ce que fais ST, je ne crois pas qu'elle fasse encore des techno 0.13µm et de la techno cuivre, voire du low µ.
Raté ;-) ST fait du 0,13 µm (c'est le HCMOS9 et cela rentre en production). Le cuivre est fonctionnel depuis presque deux ans (avec le 0.18 µm) et le low-power une très vieille tradition chez ST (il y a deux façons de faire du low-power d'ailleurs : soit dégrader l'usage d'une bibliothèque standard, soit utiliser une bibliothèque spécifique : les deux sont possibles à ST à ma connaissance).
Vu le coût ... centaines de transistors
Cela n'a rien à voir (et faux de surcroit : cf. la téléphonie portable). Je crois tout simplement que pour des raisons technologique (dont je ne me souviens plus), le SiGe fonctionne pour les bips mais pas pour les MOS. C'est tout.
Au fait... mulitplieur
Pas eu le temps. Désolé.
PK
[^] # Re: N'importe quoi !
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 1.
Sinon low µ est en rapport avec les types d'isolant entre les couches métaliques pour diminuer les capa parasites.
"La première sécurité est la liberté"
# dopage des semi conducteurs
Posté par alexeuh . Évalué à 10.
on appelle semi conducteur intrinsèque, un semi conducteur considéré comme pur, sans defaut de cristallisation (tres rare). Il éxiste des semi conducteurs intrinseques naturels, dont les plus connus et importants sont le silicium (Si) et le Germanium (Ge) (et non
pas le Géranium). Ils ont 4 electrons de valence.
On dope les semi conducteurs pour plusieurs choses, augmentation du nombre
de porteurs, la conductivité sera plus elevée et il dépendra moins de la température.
Par contre il ne faut absolument pas altérer la structure cristalline
(donc peu d'impuretés).
un exemple du livre : en injectant un atome d'impureté pour 10^8 atomes de
germanium, on multiplie sa conductivite par 12.
pour bien comprendre l'effet dopant sur les semi conducteurs il faudrait
lire un livre plus precis concernant la structure des semi conducteurs.
On ne dope pas de la même façon des semi conducteurs de type N ou P .
Alex
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par Laurent . Évalué à 1.
J'ai virer la dernière ligne de la news, en effet elle n'était pas tres claire :)
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par Laurent . Évalué à -1.
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par Jar Jar Binks (site web personnel) . Évalué à 1.
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par Rin Jin (site web personnel) . Évalué à 3.
Mais le transistor est fait majoritairement de silicium OU de germanium, je vois mal comment le dopage peut s'effectuer avec du germanium. Le germanium doit avoir ici une autre raison d'être.
Par contre, je n'arrive pas à accéder au site, le proxy semble séêtre mis en tête de m'empécher de visiter les sites en .com :(
PS pour les valences, j'ai un énorme doute à présent.
[^] # Re: dopage des semi conducteurs
Posté par François Romieu (site web personnel) . Évalué à 2.
Le silicium "intrinsèque" est en pratique toujours dopé mais on ne sait jamais comment.
On dope donc, légèrement dans le cas de l'électronique de puissance (sinon on ne tient plus
rien en tension).
http://www.brive.unilim.fr/quere/CHAP_1/Chapitre1.htm(...) rappelle les équations de base des
semi-conducteurs sans pignolade inutile à coup de méca-Q.
# Ouais bof...
Posté par gndl (site web personnel) . Évalué à -1.
# 100 Gigas, pour quoi faire ?
Posté par adolphos . Évalué à 1.
Mais imaginons, un monde -le futur- où un PC moyen de gamme irait à 100Gihz.
Qu'elles applications pour un particulier demande cette puissance ?
A part la reco vocal et Unreal VIII, je ne vois pas trop.
Ce qui est amusant, parce que pour la premiere fois dans l'histoire de la micro, un surcrois de puissance n'est pas indispenssable.
Gageons que des applications que nous ne pouvons même pas imaginer seront là. ;-)
Evidement, pour la recherche, c'est tout à fait différent. Et la, des puces comme celle-ci sont indispensable si nous voulons progresser.
[^] # Re: 100 Gigas, pour quoi faire ?
Posté par Anonyme . Évalué à 3.
Aujour'hui, je rale quand mon Athlon 1.2GHz pédale un peu...
[^] # Re: 100 Gigas, pour quoi faire ?
Posté par Nicolas Boulay (site web personnel) . Évalué à 1.
Rappeler vous au moment du lancement de l'atari, beaucoup se demandaient ce qu'il allait bien pouvoir mettre sur un support aussi vaste qu'une disquette de 1.44 Mo.
"La première sécurité est la liberté"
[^] # Re: 100 Gigas, pour quoi faire ?
Posté par Christophe BAEGERT . Évalué à 3.
Mais je ne crois pas que quiconque se soit jamais demandé ce qu'on pouvait bien mettre dans tant d'espace, je me rappelle encore un jeu en 6 disquettes (c'était un jeu d'aventure en 3D avec plein d'engins à conduire), c'était vraiment chiant.
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