Paf, Intel

Posté par  . Modéré par oliv.
Étiquettes : aucune
0
26
juin
2001
Matériel
Alors qu'Intel "se félicitait" du prochain bond à 20 GHz de ses processeurs, prévu pour l'an 2007, IBM vient de faire une annonce qui va en laisser plus d'un songeur: 100 Ghz d'ici à deux ans ! Tout repose sur l'utilisation de Silicium Germanium (meilleur conducteur) et sur une architecture des transistors "verticale". Le plus intérressant pour les futurs fondeurs est que cette nouvelle technologie ne demandera pas de construire de nouvelles usines (toujours plus chères...)

Aller plus loin

  • # Le silicium germanique ?!

    Posté par  . Évalué à -1.

    Le silicium germanique ?! Diantre et palsembleu ! Il s'agit plutôt du silicium germanium...

    • [^] # Re: Le silicium germanique ?!

      Posté par  . Évalué à -1.

      Rectification. Effectivement, il fallait lire germanium: "IBM s'est intéressé dès 1989 au silicium germanium (SiGe) qui accélère la conductivité des transistors tout en réduisant les besoins énergétiques"
      Sorry

    • [^] # Re: Le silicium germanique ?!

      Posté par  . Évalué à 1.

      Il s'agit sans doute du même type de silicium que celui qu'utilise AMD dans son usine de Dresden.

  • # Silicium teuton :-D

    Posté par  . Évalué à -1.

    Ne serait-ce pas plutôt du Silicium-Germanium (Si-Ge) ?

  • # Encore eux?

    Posté par  . Évalué à -1.

    Le Silicium Germanique, c'est bien celui d'outre Rhin?

  • # A quand le Terahertz ?

    Posté par  . Évalué à 0.

    Faites vos paris :-)

  • # Bienvenue dans la 4eme dimension

    Posté par  (Mastodon) . Évalué à 1.

    La vitesse des processeur n'est pas sensé suivre une certaine loi? Ou l'on double de vitesse tous les 6 mois.
    Bref c'est du délire. Vous en avez révé, IBM l'a fait.

    • [^] # Re: Bienvenue dans la 4eme dimension

      Posté par  . Évalué à 0.

      Si, la loi de Moore il me semble. Mais ça n'est jamais qu'une loi empirique, on peut donc juste esperer qu'elle se verifiera mais sans aucune garantie, en bien ou en mal (et là plutôt en bien...).

      • [^] # Re: Bienvenue dans la 4eme dimension

        Posté par  . Évalué à 0.

        Et au départ la loi de Moore c'est sur le nombre de transistors, et le doublement c'est tous les 18 mois. Evidemment on l'adapte à tout ce qui "double" avec une fréquence assez régulière...

    • [^] # Re: Bienvenue dans la 4eme dimension

      Posté par  . Évalué à 1.

      Non, ça, c'est juste un corollaire empirique de la loi de Moore, qui dit que le nombre de transistors intégrés sur une puce double tous les 18 mois, loi elle-même empirique. Rien n'empêche que les performances triplent ou quadruplent tout en respectant cette "loi".

    • [^] # La loi de moore

      Posté par  . Évalué à 1.

      C'est une loi empirique pondue par Gordon Moore, fondateur d'Intel. Elle dit que le nombre de transistors double en moyenne tous les 18 mois. Cette "loi" est en fait plus une constatation du meme niveau que "noel au balcon, paques au tison" ou "si il y a suse dans un titre de news, il y aura troll".

      Ce n'est donc pas une loi physique comme les histoires de photons qui prennent le TGV.

      • [^] # merde, troisieme a répondre.

        Posté par  . Évalué à -1.

        Je suis un lent, et hop, -1

      • [^] # Re: La loi de moore

        Posté par  . Évalué à -1.

        C'est QUOI ce délire avec les photons ?!!
        J'ai du looper un train la ;P
        Ah non, un TGV vous dites ? avec des photons ?!!?

        Bon, -1, hors-sujet.

        --
        Arnaud Willem

  • # Admettons...

    Posté par  . Évalué à 1.

    Chez IBM, ils disent eux-même atteindre les puces à 100 GHz d'ici 2 ans, mais on ne sait pas quel genre de puce. Ensuite, si on lit la phrase au-dessus du schéma :
    This represents an 80 percent performance improvement and a 50 percent reduction in power consumption over current designs.
    Ben, c'est intéressant, mais ils n'ont jamais dit qu'on pourra avoir un Power4 ou un Athlon à 100 GHz : seulement "80% de performance en plus par rapport aux designs actuels"

    C'est bien de rêver quand même :)

    • [^] # Re: Admettons...

      Posté par  . Évalué à 1.

      Pas terrible comme rendement!!
      *100 en frequence
      *1.8 en performance!!

      • [^] # Re: Admettons...

        Posté par  . Évalué à 1.

        Je fais que lire la page, hein :)

  • # Transistor bipolaire !

    Posté par  . Évalué à 1.

    Attention, cela ne fonctionne que pour les transistors bipolaires, que l'on a abandonne pour faire des processeurs... au debut des annees 80...

    Meme si Intel en utilise un peu au debut de vie d'un produit pour tenir la vitesse. Les processeurs sont fabriques a 99.99% avec du CMOS qui sont loin d'etre capable de telles performances (mais qui ne consomment presque rien en statique).

    Le SiGe est connu et utilise depuis longtemps dans les bipolaires. La radiotelephonie les utilise deja beaucoup...

    PK, anonyme un peu malgre lui.

    • [^] # Re: Transistor bipolaire !

      Posté par  . Évalué à 0.

      Ou tu as vu qu'il parlait de bipolaire ? La caracteristique du Si-Ge est justement de pouvoir faire des MOS a la vitesse de l'AsGa!

      nicO

      • [^] # Re: Transistor bipolaire !

        Posté par  . Évalué à 0.

        heterojunction bipolar transistor

        Je n'ai lu que l'article en francais... Possible qu'ils n'aient rien compris aussi...


        La caracteristique du Si-Ge est justement de pouvoir faire des MOS a la vitesse de l'AsGa

        Et je ne vois pas en quoi cela caracterise quoique ce soit. Le SiGe est un dopant comme un autre: on l'utilise dans du bipolaire (0.35um) dans une boite de semi-conducteur francaise depuis un bout de temps. Et honnetement, je ne vois pas trop comment l'implementer dans un MOS. Mais je ne suis pas technologue...

        PK

      • [^] # Re: Transistor bipolaire !

        Posté par  . Évalué à 1.

        La caracteristique du Si-Ge est justement de pouvoir faire des MOS a la vitesse de
        l'AsGa!

        J'attend la courbe, tu me dira aussi comment ils ont vire le condensateur intrinseque (sous la grille) ou la resistance serie (la couche metallique) d'un tansistor CMOS pour atteindre la vitesse d'un NPN AsGa en forme.

        P**ain j'ai pas d'accents !

  • # a propos du Germanium

    Posté par  . Évalué à 0.

    Bizarre, en cours d'electro. on utilisait des transistors au Germanium pour étudier la sensibilité des transistors à la temperature.
    Elle était bien plus grande (et donc plus facile à mesurer pour nous pauvres etudiants) sur les transistors au germanium que sur les transistors moderne au silicium.
    Ils ont peut-être trouvér un moyen d'utiliser les avantages des 2.

    y'a t'il des ingé. en éléctronique dans la salle pour confirmer ?

    • [^] # Re: a propos du Germanium

      Posté par  . Évalué à 1.

      Scuse, mais je vois pas le rapport entre la sensibilité à la température et la nouvelle.

    • [^] # Re: a propos du Germanium

      Posté par  . Évalué à 1.

      Rien a voir, en numerique, l'essentiel des transistors (pas tous mais bon 10-15 sur 40 millons ...) est utilise en zone de saturation (pour faire des 0 et des 1) il est soit ouvert (en grand) soit ferme (completement). La temperature n'influe que dans le millieu de la courbe mais on pass rapidement dans cette zone pour en sortir.
      Pare-contre, le controleur de temperature interne est lui un transistor sensible.

      Les premiers transistors etaient fabriques dans un cristal de germanium, le petit pb est que le point de fusion du Ge est a 60 degres d'ou son abandon des que possible.

      D'apres un post plus haut, le Ge revient sous forme de dopant, c'est les impuretes qu'on balance dans le cristal pour le rendre exessif soit en e- soit en trous. (le drain et la source si c'est un CMOS)

      Bon chuis pas inge car l'ecole m'a saoule mais j'ai fait 5 ans d'elec.
      Et j'ai toujours pas d'accents

Suivre le flux des commentaires

Note : les commentaires appartiennent à celles et ceux qui les ont postés. Nous n’en sommes pas responsables.